直接 能 隙

任何需要發光的光電元件雷射或LED都沒有矽的份因為矽是間接能隙Indirect bandgap而大部分的三五族化合物為直接能隙direct bandgap註1 為什麼三五族要這麼多種 因為要發出或吸收不同波長的光一個材料發光的波長也就是顏色取決於其能隙的大小. 知道要得到 inn 能隙為一固定值的樣品是件困難的事23藉由 mbe 及 movpe 的技術所製作之 inn 能隙值大多偏向 07 ev又 因為此能隙值接近於太陽能光譜所以未來就可應用至太陽能電池 並且能夠有效的將太陽能電池的效率向上提升.

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大學化學背景 碩士班 生物藥學系.

. 對於直接能隙半導體而言電子從傳導帶落至價帶時能量的釋放不必牽涉到動量守衡故全部以光子的形式釋放能量 半導體材料的傳導帶底部和價帶頂端在能量-動量座標上可能會處在不同的k值這種材料叫做間接能隙材料in-direct bandgap material. 直接能隙Direct bandgap 直接能隙Direct bandgap是指電子吸收了外加能量以後可以由價電帶跳躍到導電帶而且電子可以直接由導電帶落回價電帶因此能量可以完全以光能的型式釋放出來如圖一所示所以發光效率很高例如砷化鎵GaAs的能. 半導體 英語 Semiconductor 是一种導電率在 绝缘体 至 导体 之间的物质.

最近因研跨領域需要 在研讀光電半導體相關知識 如 PVCDROM的網頁. 回答什麼是indirect bandgap和什麼是direct bandgap. 對一個 本征半导体 而言其 導電性 與能隙的大小有關只有.

帶隙 band gap 帶溝 或稱 能隙 energy gap 能帶隙 energy band gap 禁带宽度 width of forbidden band在 固態物理學 中泛指 半導體 或 絕緣體 的 價帶 頂端至 傳導帶 底端的能量差距. 對於直接能隙和間接能隙材料的光 吸收情況如圖3ab 所示導帶和價帶相關 聯的自由載子分別是電子和電洞事實上光激發 螢光如圖3cd 可以想成是半導體中導帶的 電子和價帶的電洞進行輻射復合所致5當激發的.

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